Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Memory Size
8Mbit
Organisation
1M x 8 bit, 512K x 16 bit
Number of Words
512K
Number of Bits per Word
8 bit, 16bit
Maximum Random Access Time
45ns
Address Bus Width
8 bit, 16 bit
Clock Frequency
1MHz
Low Power
Yes
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
VFBGA
Kaiščių skaičius
48
Matmenys
6 x 8 x 0.79mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Aukštis
0.79mm
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Ilgis
6mm
Plotis
8mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.2 V
Produkto aprašymas
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 11,34
už 1 vnt. (be PVM)
€ 13,72
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 11,34
už 1 vnt. (be PVM)
€ 13,72
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 11,34 |
10 - 24 | € 9,14 |
25 - 99 | € 8,92 |
100 - 499 | € 8,61 |
500+ | € 8,40 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Memory Size
8Mbit
Organisation
1M x 8 bit, 512K x 16 bit
Number of Words
512K
Number of Bits per Word
8 bit, 16bit
Maximum Random Access Time
45ns
Address Bus Width
8 bit, 16 bit
Clock Frequency
1MHz
Low Power
Yes
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
VFBGA
Kaiščių skaičius
48
Matmenys
6 x 8 x 0.79mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Aukštis
0.79mm
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Ilgis
6mm
Plotis
8mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Minimum Operating Supply Voltage
2.2 V
Produkto aprašymas
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.