Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Analog DevicesAmplifier Type
Power
Typical Power Gain
21 dB
Typical Output Power
27dBm
Typical Noise Figure
5dB
Number of Channels per Chip
1
Maximum Operating Frequency
4 GHz
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
MSOP
Kaiščių skaičius
8
Matmenys
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Aukštis
0.95mm
Ilgis
3.1mm
Serija
Hittite
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Maximum Operating Supply Voltage
5 V
Plotis
3.1mm
Produkto aprašymas
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 15,39
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 18,62
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1
€ 15,39
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 18,62
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 15,39 |
5+ | € 15,10 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Analog DevicesAmplifier Type
Power
Typical Power Gain
21 dB
Typical Output Power
27dBm
Typical Noise Figure
5dB
Number of Channels per Chip
1
Maximum Operating Frequency
4 GHz
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
MSOP
Kaiščių skaičius
8
Matmenys
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Aukštis
0.95mm
Ilgis
3.1mm
Serija
Hittite
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Maximum Operating Supply Voltage
5 V
Plotis
3.1mm
Produkto aprašymas
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.