Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
530 mA
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 5,25
€ 1,05 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,35
€ 1,27 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 5,25
€ 1,05 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 6,35
€ 1,27 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
530 mA
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
750 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas