Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
2.39mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 12,50
€ 1,25 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 15,12
€ 1,512 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 12,50
€ 1,25 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 15,12
€ 1,512 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.4 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
2.39mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas