Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
€ 9,86
€ 0,986 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 11,93
€ 1,193 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 9,86
€ 0,986 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 11,93
€ 1,193 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,986 | € 9,86 |
100 - 240 | € 0,849 | € 8,49 |
250 - 490 | € 0,737 | € 7,37 |
500 - 990 | € 0,648 | € 6,48 |
1000+ | € 0,589 | € 5,89 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia