Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.25mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Vietnam
€ 14,50
€ 1,45 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 17,54
€ 1,754 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 14,50
€ 1,45 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 17,54
€ 1,754 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,45 | € 14,50 |
100 - 240 | € 1,25 | € 12,50 |
250+ | € 1,05 | € 10,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
83 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.25mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Vietnam