Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
378 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
NTMFS5C404N
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
700 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
128 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,20
€ 6,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 7,50
€ 7,50 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1

€ 6,20
€ 6,20 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 7,50
€ 7,50 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 6,20 |
10 - 99 | € 5,30 |
100 - 499 | € 4,60 |
500 - 999 | € 4,05 |
1000+ | € 3,70 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
378 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
NTMFS5C404N
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
700 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
128 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas