onsemi N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SC-75 NTA7002NT1G
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ilgis
1.65mm
Plotis
0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 46,00
€ 0,092 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,66
€ 0,111 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500
€ 46,00
€ 0,092 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 55,66
€ 0,111 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 500 - 1200 | € 0,092 | € 4,60 |
| 1250 - 2450 | € 0,088 | € 4,40 |
| 2500 - 4950 | € 0,08 | € 4,00 |
| 5000+ | € 0,074 | € 3,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ilgis
1.65mm
Plotis
0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products