Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V, 6 V
Maximum Operating Frequency
390 MHz
Kaiščių skaičius
5
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Produkto aprašymas
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device
€ 10,92
€ 0,437 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 13,21
€ 0,529 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 10,92
€ 0,437 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 13,21
€ 0,529 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Common Emitter
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V, 6 V
Maximum Operating Frequency
390 MHz
Kaiščių skaičius
5
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Produkto aprašymas
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device


