Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-45 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
220
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
General Purpose PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 11,10
€ 0,037 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 13,43
€ 0,045 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
300

€ 11,10
€ 0,037 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 13,43
€ 0,045 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
300

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-45 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
220
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas