Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
380 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
520 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 24,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 29,64
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500

€ 24,50
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 29,64
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
380 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
520 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas


