Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Plotis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 44,08
€ 0,882 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 53,34
€ 1,067 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

€ 44,08
€ 0,882 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 53,34
€ 1,067 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50

Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 95 | € 0,882 | € 4,41 |
100 - 245 | € 0,801 | € 4,00 |
250 - 495 | € 0,75 | € 3,75 |
500+ | € 0,733 | € 3,67 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Plotis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.8mm
Produkto aprašymas