Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Aukštis
9.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 52,25
€ 1,045 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 63,22
€ 1,264 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 52,25
€ 1,045 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 63,22
€ 1,264 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
D Series
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.83mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Aukštis
9.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas