Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,901
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,09
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,901
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,09
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,901 | € 9,01 |
100 - 240 | € 0,846 | € 8,46 |
250 - 490 | € 0,765 | € 7,65 |
500 - 990 | € 0,72 | € 7,20 |
1000+ | € 0,677 | € 6,77 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas