Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
ThunderFET
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 902,50
€ 0,361 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 092,02
€ 0,437 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 902,50
€ 0,361 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 092,02
€ 0,437 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
ThunderFET
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China
Produkto aprašymas