Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,166
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,201
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,166
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,201
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 8 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.02mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas