Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
345 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,512
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,62
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,512
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,62
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
345 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.7 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas