Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3

RS kodas: 710-3235Gamintojas: VishayGamintojo kodas: SI1912EDH-T1-E3
brand-logo
Žiūrėti viską MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Pakuotės tipas

SOT-363

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

2.05mm

Plotis

1.25mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Aukštis

0.9mm

Kilmės šalis

China

Produkto aprašymas

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

10

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.
sticker-462

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET Transistor, 1.13 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1912EDH-T1-E3
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

10

Galima įsigyti kartotiną kiekį 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.
sticker-462

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.13 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Pakuotės tipas

SOT-363

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

2.05mm

Plotis

1.25mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Aukštis

0.9mm

Kilmės šalis

China

Produkto aprašymas

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina