Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,522
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,842
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
10
€ 1,522
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,842
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,522 | € 15,22 |
100 - 240 | € 1,155 | € 11,55 |
250 - 490 | € 0,959 | € 9,59 |
500 - 990 | € 0,852 | € 8,52 |
1000+ | € 0,62 | € 6,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.01mm
Produkto aprašymas