Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1 547,55
€ 0,516 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 872,54
€ 0,624 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 1 547,55
€ 0,516 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 872,54
€ 0,624 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
1212
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
65.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Kilmės šalis
China