Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.5 nC @ 10 V
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.7V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,337
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,408
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,337
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,408
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.5 nC @ 10 V
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.7V
Kilmės šalis
China