Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
3.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.85mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,433
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,524
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 0,433
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 0,524
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5000 - 5000 | € 0,433 | € 2 163,00 |
10000+ | € 0,40 | € 2 000,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
3.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.85mm