Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
112 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
168 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Aukštis
15.1mm
Serija
U-MOSVIII-H
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,797
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,964
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,797
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,964
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,797 | € 7,97 |
50 - 90 | € 0,717 | € 7,17 |
100+ | € 0,668 | € 6,68 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
112 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
168 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Aukštis
15.1mm
Serija
U-MOSVIII-H
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas