Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaMemory Size
2Gbit
Organisation
2048 x 8 bit
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
40µs
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
TSOP
Kaiščių skaičius
48
Matmenys
20 x 12mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Number of Words
2048
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Number of Bits per Word
8
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Produkto aprašymas
BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba
BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).
BENAND™ SLC NAND Flash Memory
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,18
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (be PVM)
€ 2,64
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Dėklas)
1
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 2,18
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (be PVM)
€ 2,64
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Dėklas)
1
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaMemory Size
2Gbit
Organisation
2048 x 8 bit
Data Bus Width
8bit
Maximum Random Access Time
40µs
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
TSOP
Kaiščių skaičius
48
Matmenys
20 x 12mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Number of Words
2048
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Number of Bits per Word
8
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Produkto aprašymas
BENAND™, SLC NAND Flash Memory with build in ECC, Toshiba
BENAND™ is SLC (Single Level Cell) NAND Flash Memory with build in ECC (Error Correction Code).