Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2e+006 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,037
Each (In a Pack of 250) (be PVM)
€ 0,045
Each (In a Pack of 250) (su PVM)
Standartas
250
€ 0,037
Each (In a Pack of 250) (be PVM)
€ 0,045
Each (In a Pack of 250) (su PVM)
Standartas
250
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
250 - 250 | € 0,037 | € 9,26 |
500 - 750 | € 0,037 | € 9,26 |
1000 - 1250 | € 0,033 | € 8,31 |
1500 - 2750 | € 0,033 | € 8,31 |
3000+ | € 0,03 | € 7,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2e+006 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Silicon