Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Pakuotės tipas
SOT-346 (SC-59)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
120 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
Small Signal NPN Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,238
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,288
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,238
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,288
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,238 | € 5,94 |
125 - 225 | € 0,209 | € 5,22 |
250 - 475 | € 0,203 | € 5,08 |
500 - 1225 | € 0,199 | € 4,96 |
1250+ | € 0,194 | € 4,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Pakuotės tipas
SOT-346 (SC-59)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
120 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas