Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,988
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 6,035
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 4,988
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 6,035
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 4,988 | € 249,38 |
100 - 200 | € 3,99 | € 199,50 |
250+ | € 3,728 | € 186,38 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Serija
NexFET
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.51mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas