Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,584
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,707
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,584
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,707
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas