Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.57mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V
Plotis
6.11mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.29mm
Forward Diode Voltage
1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,657
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,795
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,657
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,795
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,657 | € 16,43 |
50 - 75 | € 0,569 | € 14,23 |
100 - 475 | € 0,499 | € 12,47 |
500+ | € 0,438 | € 10,95 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
70 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-252
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.57mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V
Plotis
6.11mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.29mm
Forward Diode Voltage
1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C