Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 6,74
€ 6,74 už 1 vnt. (be PVM)
€ 8,16
€ 8,16 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 6,74
€ 6,74 už 1 vnt. (be PVM)
€ 8,16
€ 8,16 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 6,74 |
5 - 9 | € 6,46 |
10 - 24 | € 5,80 |
25 - 49 | € 5,22 |
50+ | € 4,94 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas