Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
15.75mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,13
už 1 vnt. (be PVM)
€ 5,00
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
€ 4,13
už 1 vnt. (be PVM)
€ 5,00
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 4,13 |
5 - 9 | € 3,94 |
10 - 24 | € 3,52 |
25 - 49 | € 3,18 |
50+ | € 2,99 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Aukštis
15.75mm
Produkto aprašymas