Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
4.37mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,835
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,43
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 2,835
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,43
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,835 | € 14,18 |
25 - 45 | € 2,678 | € 13,39 |
50 - 120 | € 2,415 | € 12,08 |
125 - 245 | € 2,205 | € 11,02 |
250+ | € 2,10 | € 10,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
4.37mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China