Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
HSO8-F4-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.2 nC @ 4.5 V
Plotis
5.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Aukštis
0.95mm
Serija
SK
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,32
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,387
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,32
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,387
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
HSO8-F4-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
6.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
19 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.2 nC @ 4.5 V
Plotis
5.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Aukštis
0.95mm
Serija
SK
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Produkto aprašymas