Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SSMini6 F3 B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω, 17 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.2mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.6mm
Aukštis
0.5mm
Serija
FG
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N/P-Channel Dual MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,103
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,125
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
€ 0,103
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,125
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SSMini6 F3 B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω, 17 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
125 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.2mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.6mm
Aukštis
0.5mm
Serija
FG
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas