Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
SOT-93
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
15
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Aukštis
20.35mm
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Plotis
4.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.2mm
Base Current
5A
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,832
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 4,637
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
€ 3,832
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 4,637
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,832 | € 7,66 |
10 - 98 | € 3,255 | € 6,51 |
100 - 248 | € 2,625 | € 5,25 |
250 - 498 | € 2,572 | € 5,14 |
500+ | € 2,205 | € 4,41 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
SOT-93
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
15
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Aukštis
20.35mm
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Plotis
4.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.2mm
Base Current
5A
Kilmės šalis
China