Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-93
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Base Current
5A
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,888
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 2,888
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 90 | € 2,888 | € 86,62 |
120 - 480 | € 2,362 | € 70,88 |
510 - 990 | € 1,995 | € 59,85 |
1020+ | € 1,838 | € 55,12 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-93
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Base Current
5A
Kilmės šalis
China