Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 (Continuous) A, 15 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-218
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
0.7mA
Aukštis
20.35mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
80 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.2mm
Base Current
3A
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,758
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 2,127
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 1,758
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 2,127
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 90 | € 1,758 | € 52,72 |
120 - 480 | € 1,472 | € 44,18 |
510 - 990 | € 1,235 | € 37,05 |
1020+ | € 1,092 | € 32,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 (Continuous) A, 15 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-218
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
0.7mA
Aukštis
20.35mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
80 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.2mm
Base Current
3A
Kilmės šalis
China