Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
500
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
50 W
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,77
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 0,932
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25
€ 0,77
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 0,932
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,77 | € 19,24 |
100 - 475 | € 0,555 | € 13,89 |
500 - 975 | € 0,474 | € 11,84 |
1000 - 2475 | € 0,411 | € 10,26 |
2500+ | € 0,399 | € 9,98 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
500
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
50 W
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China