Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
24.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Aukštis
2.38mm
Serija
NVD5C684NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,47
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,779
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 1,47
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,779
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,47 | € 14,70 |
100 - 240 | € 0,953 | € 9,53 |
250 - 490 | € 0,926 | € 9,26 |
500 - 990 | € 0,903 | € 9,03 |
1000+ | € 0,881 | € 8,81 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
24.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Aukštis
2.38mm
Serija
NVD5C684NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas