Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,308
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,373
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
€ 0,308
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,373
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,308 | € 7,70 |
125 - 475 | € 0,142 | € 3,56 |
500 - 1225 | € 0,134 | € 3,35 |
1250+ | € 0,117 | € 2,92 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas