Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,242
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,293
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,242
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,293
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 240 | € 0,242 | € 2,42 |
250+ | € 0,205 | € 2,05 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 10 V
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas