P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT3G

RS kodas: 808-0060Gamintojas: onsemiGamintojo kodas: NTR1P02LT3G
brand-logo
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Pakuotės tipas

SOT-23

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.25V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.1 nC @ 4.5 V

Plotis

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Aukštis

1.01mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Produkto aprašymas

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,139

Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)

€ 0,168

Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)

P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT3G
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 0,139

Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)

€ 0,168

Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)

P-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02LT3G
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Juosta
200 - 200€ 0,139€ 27,72
400 - 800€ 0,127€ 25,41
1000 - 1800€ 0,119€ 23,73
2000+€ 0,109€ 21,84

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Pakuotės tipas

SOT-23

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

350 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.25V

Maximum Power Dissipation

400 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.1 nC @ 4.5 V

Plotis

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Aukštis

1.01mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Produkto aprašymas

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more