Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,139
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,168
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
200
€ 0,139
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,168
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
200
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
200 - 200 | € 0,139 | € 27,72 |
400 - 800 | € 0,127 | € 25,41 |
1000 - 1800 | € 0,119 | € 23,73 |
2000+ | € 0,109 | € 21,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas