Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
€ 3,89
€ 0,389 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 4,71
€ 0,471 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 3,89
€ 0,389 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 4,71
€ 0,471 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia