Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,383
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,463
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
€ 0,383
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,463
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 50 | € 0,383 | € 9,57 |
75 - 125 | € 0,263 | € 6,58 |
150 - 275 | € 0,165 | € 4,13 |
300 - 575 | € 0,158 | € 3,94 |
600+ | € 0,152 | € 3,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas