Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,028
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,034
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,028
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,034
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,028 | € 85,50 |
6000+ | € 0,027 | € 79,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
20000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm