Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
4.5 V
Maximum Operating Frequency
20 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Low Noise Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,062
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,075
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,062
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,075
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
4.5 V
Maximum Operating Frequency
20 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas