Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
50 to 150mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.94mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,394
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,477
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 0,394
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,477
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,394 | € 1,97 |
50 - 95 | € 0,374 | € 1,87 |
100 - 245 | € 0,317 | € 1,59 |
250 - 495 | € 0,295 | € 1,48 |
500+ | € 0,271 | € 1,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
50 to 150mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.94mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.