Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
250 W
Minimum DC Current Gain
14
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1000 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,775
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 6,988
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 5,775
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 6,988
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 90 | € 5,775 | € 173,25 |
120 - 240 | € 4,83 | € 144,90 |
270 - 480 | € 4,515 | € 135,45 |
510+ | € 4,252 | € 127,58 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
250 W
Minimum DC Current Gain
14
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1000 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China