Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,615
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,954
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10
€ 1,615
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,954
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Aukštis
16.12mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of