Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
75 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,039
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,039
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
75 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.